-
1 collector breakdown
English-Russian big polytechnic dictionary > collector breakdown
-
2 collector breakdown
Электроника: пробой коллекторного перехода -
3 collector breakdown
English-Russian dictionary of microelectronics > collector breakdown
-
4 collector breakdown voltage
Электроника: пробивное напряжение коллектораУниверсальный англо-русский словарь > collector breakdown voltage
-
5 collector breakdown voltage
English-Russian electronics dictionary > collector breakdown voltage
-
6 collector breakdown voltage
English-Russian dictionary of electronics > collector breakdown voltage
-
7 emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпрэ
UBR ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
-
8 base-collector breakdown
English-Russian dictionary of Information technology > base-collector breakdown
-
9 base collector breakdown rating
Микроэлектроника: номинальное напряжение пробоя перехода база - коллекторУниверсальный англо-русский словарь > base collector breakdown rating
-
10 base-collector breakdown
Телекоммуникации: пробой между базой и коллекторомУниверсальный англо-русский словарь > base-collector breakdown
-
11 base-collector breakdown
English-Russian dictionary of modern telecommunications > base-collector breakdown
-
12 base-collector breakdown
English-Russian dictionary of microelectronics > base-collector breakdown
-
13 base-collector breakdown rating
English-Russian dictionary of microelectronics > base-collector breakdown rating
-
14 base-collector breakdown
English-Russian dictionary of telecommunications > base-collector breakdown
-
15 collector
1. коллектор2. коллекторныйThe English-Russian dictionary general scientific > collector
-
16 breakdown collector-base voltage
пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UКБОпроб
U(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
UКБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > breakdown collector-base voltage
-
17 collector-base breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-base breakdown voltage of a phototransistor
-
18 breakdown collector-emitter voltage
пробивное напряжение коллектор-эмиттер
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора.
Обозначение
UКЭпроб
Примечание
При токе базы, равном нулю, UКЭО проб, U(BR)CEO ;
при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭR проб, U(BR)CER ;
при коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UКЭK проб, U(BR)CES ;
при заданном обратном напряжении база-эмиттер, UКЭX проб, U(BR)CEX.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
E. Breakdown collector-emitter voltage
F. Tension de claquage collecteur-émetteur
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > breakdown collector-emitter voltage
-
19 collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uэпр к
UBR CEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
-
20 thermal breakdown
- 1
- 2
См. также в других словарях:
Collector's Edition No. 1 — EP by L.A. Guns Released 1985 … Wikipedia
collector junction breakdown — kolektoriaus sandūros pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction breakdown vok. Kollektor Basis Durchbruch, m; Kollektorübergangdurchbruch, m rus. пробой коллекторного перехода, m pranc. claquage de jonction de… … Automatikos terminų žodynas
Second breakdown — The second breakdown is an irreversible failure mode in power semiconductors.The safe operating area (SOA) of a power transistor is a subset of the parameter combinations of collector emitter voltage and collector current, which the device can… … Wikipedia
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора — Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение Uкпрэ UBR ECO Примечание На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение… … Справочник технического переводчика
Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора — 108. Пробивное напряжение эмиттер коллектор фототранзистора D. Emitter Kollektor Durch bruchspannung eines Phtototransistors E. Emitter collector breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage émetteur collecteur de phototransistor … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Avalanche transistor — An Avalanche Transistor is a bipolar junction transistor designed for operation in the region of its collector current/collector to emitter voltage characteristics beyond the collector to emitter breakdown voltage, called avalanche breakdown… … Wikipedia
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
semiconductor device — ▪ electronics Introduction electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… … Universalium
India — /in dee euh/, n. 1. Hindi, Bharat. a republic in S Asia: a union comprising 25 states and 7 union territories; formerly a British colony; gained independence Aug. 15, 1947; became a republic within the Commonwealth of Nations Jan. 26, 1950.… … Universalium
